自2004年英国科学家用胶带从石墨层上“撕”出石墨烯以来，这种二维材料已成为备受瞩目的“新材料之王”。

　　石墨烯具有超高的载流子迁移率，导电性能优异，是未来高性能电子器件与芯片的理想候选材料。然而，其“零带隙”特征却成为限制其应用的“致命缺陷”。相比之下，宽度小于10纳米的一维材料石墨烯纳米带则能够最终靠量子限域效应打开带隙，弥补这一缺陷。不过，制备高质量的石墨烯纳米带一直存在挑战。

　　近日，上海交通大学（以下简称上海交大）教授史志文团队与武汉大学教授欧阳稳根团队、中国科学院深圳先进技术研究院研究员丁峰团队、以色列特拉维夫大学教授Michael Urbakh团队等合作，在实验室“种”出世界上最长、性能最优的石墨烯纳米带，并分析了其优异性能背后的机制。相关研究成果发表于《自然》。

　　石墨烯纳米带具有适合制作晶体管器件所需的带隙，是未来集成电路的理想材料。

　　全球物理学家尝试了许多方法。比如将石墨烯切割成宽度小于5纳米的条带来制备纳米带，但精度很难实现。即使能做出来，制备出的石墨烯纳米带也往往存在晶格缺陷、边缘结构被打乱等问题，导致性质较差。也有科学家尝试在金属单晶衬底上生长石墨烯纳米带，但成品长度仅有20至30纳米，且经过转移后衬底中存在电荷杂质等无序效应，无法在实际中应用。

　　十几年前，史志文还在中国科学院物理研究所读博时，就开始研究石墨烯纳米带，并发现了一些制备石墨烯纳米带的方法，但并未完全解决上述问题。

　　2020年，史志文在上海交大带领博士生吕博赛在六方氮化硼基底上生长另一种一维纳米材料碳纳米管时，意外发现基底上长出的“果子”不仅有碳纳米管，还有一些比碳纳米管矮一截、高度只有零点几纳米的一维材料。

　　他们对这些材料来原子分辨表征后惊喜地发现，它们竟是石墨烯纳米带。有趣的是，很多石墨烯纳米带并非生长在氮化硼基底的表面，而是嵌在氮化硼层间。

　　他们与丁峰团队合作，分析了石墨烯纳米带的形成原因，并认识到六方氮化硼基底的重要性。

　　“如果用生长在金属基底上的石墨烯纳米带做器件，需要将其机械封装转移到另外的地方，因为金属的基底会干扰测量；与此相对，六方氮化硼是非常好的绝缘体，石墨烯纳米带长在六方氮化硼层间，意味着它不需要任何转移就能轻松实现原位封装，使其结构和性质免受外界外因和微纳加工的影响，从而展现出优异的性能。”论文通讯作者史志文说。

　　随后，史志文抓住“意外”，指导吕博赛展开实验在六方氮化硼基底上“种”石墨烯纳米带。

　　他们开展了大量实验，通过反复摸索，终于找到石墨烯纳米带生长所需的温度、气压、催化剂等培养条件。“我们把一些催化剂纳米颗粒放在六方氮化硼晶体基底上，将基底放置到管式炉中，在炉中通入甲烷气体，再把温度提升到800摄氏度左右让甲烷分解产生碳原子，从而在催化剂上不断长出石墨烯纳米带。”论文第一作者吕博赛告诉《中国科学报》。

　　通过这种方法，研究者在六方氮化硼基底上培育出世界上最长的石墨烯纳米带，其长度可达亚毫米量级，远超此前报道的长度。同时，其宽度仅有3~5纳米，且是单手性的，这在某种程度上预示着其具有较大的带隙，同时性质更加稳定。

　　实验室测量表明，这些石墨烯纳米带展现出优异的性能：载流子迁移率达4600cm2V-1s-1，开关比达106，是目前在超窄石墨烯纳米带中创造的最高纪录。

　　“载流子迁移率、开关比都是制作电子器件时要着重关注的性能指标。载流子迁移率越大，意味着器件响应越快，就会有更高的运算速度和更低的能耗；更高的开关比则意味着能实现更有效的打开和关闭。”史志文向《中国科学报》表示，这些出色的性能有望让新研究成果在将来的纳米电子器件中发挥重要作用。

　　为了回答这样的一个问题，史志文联系了很多专家和团队寻求合作。其中就包括欧阳稳根。史志文看到了欧阳稳根在以色列特拉维夫大学从事博士后阶段研究期间和其合作导师Michael Urbakh在《纳米快报》上发表的一篇文章，论述了石墨烯纳米带在六方氮化硼基底上奇特的超低摩擦行为。他认为这可用于揭示实验中观测到的纳米带的生长机制，于是通过邮件联系Urbakh和欧阳稳根进行合作。

　　为揭示石墨烯纳米带在六方氮化硼层间的生长机制，欧阳稳根带领博士生王森对实验体系进行了大规模分子动力学模拟。

　　他们连续研究了3年，做了大量测试，对石墨烯纳米带各种生长方向的长度、宽度、变形等路径进行了模拟，发现超长石墨烯纳米带的形成与其在六方氮化硼层间滑移时呈现的结构“超滑”性质近零摩擦损耗有关。

　　“六方氮化硼晶体边缘的金属颗粒催化剂会像根一样，吸收甲烷分解产生的碳原子。新的碳原子会把催化剂上已经生成的石墨烯纳米带往前推，让其不断生长。在这一滑动过程中，生成的石墨烯纳米带越长，新原子往前走时受到的阻力越大，当推力抵消不了阻力时，纳米带就会停止生长。”论文共同通讯作者欧阳稳根向《中国科学报》解释，“受到的阻力越小，长得越长。”

　　欧阳稳根表示，这解释了在实验中“锯齿”形和“扶手椅”形的石墨烯纳米带比生长在表面的纳米带长得更长的原因。特别是“锯齿”形的石墨烯纳米带，沿着六方氮化硼层间滑动摩擦力最低的“山谷”生长，这条“绿色通道”使得超长石墨烯纳米带呈现单手性生长的特征。

　　这一计算机模拟结果得到了Urbakh团队的理论分析和丁峰团队第一性原理计算的支撑。

　　进一步的实验研究也证明，六方氮化硼晶体内的石墨烯纳米带长得最长，因为其碳原子前进时受到的阻力最小。尽管石墨烯纳米带在晶体表面也能生长，但因其在表面生长受到的阻力较大，最长只能生长几十微米。

　　吕博赛介绍，新技术生长石墨烯纳米带的速度很快，几分钟就可以长出数百微米。这在某种程度上预示着，这种性能优异的一维材料可以很容易实现大规模、批量化制备。

　　“非常新颖”“令人兴奋”“这是一种创新的方法”《自然》的5位审稿人对这项研究给予了高度评价，认为该研究克服了在电子科技类产品中使用石墨烯的最大障碍零带隙，解决了此前在制备石墨烯纳米带过程中存在的很多问题，所获得的石墨烯纳米带明确地显示出半导体性质，为未来受控材料的合成提供了新见解，具有广阔的应用前景。

　　谈及这项研究成功的原因，史志文表示，一个人的知识和经验是有限的，好的研究离不开跨领域专家的合作，这项研究的突破正是得益于各展所长的良好合作模式。“在开展合作的3年中，来自4个单位的合作团队几乎每月都会进行一到两次线上讨论，以确保研究顺利推进。”

　　研究者期望，这项成果未来可以在高性能晶体管器件、集成电路制造等方面发挥作用。